深圳市红邦半导体有限公司

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北京市供应IGBT模块,型号全,口碑好

2022-10-19 03:51:01  506次浏览 次浏览
价 格:面议

IGBT模块的适用功率小至几百瓦,高至数兆瓦。这些产品可用于通用驱动器、牵引、伺服装置和可再生能源发电(如光伏逆变器或风电应用)等应用,具有高可靠性、出色性能、率和使用寿命长的优势。IGBT模块采用预涂热界面材料(TIM),能让电力电子应用实现一致性的散热性能。

IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。

IGBT一般分为IGBT单管和IGBT模块。简而言之IGBT电流密度高且功耗低,能够提高能效、降低散热需求,从而有效降低整体系统成本。它们广泛应用于通用逆变器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、感应加热设备、大型家电、焊接以及开关电源(SMPS)等领域。

在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。

1)当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。

2)当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻断状态。

3)当集-射极电压UCE>0时,分两种情况:

若栅-射极电压UGE<Uth,沟道不能形成,IGBT呈正向阻断状态。

若栅-射极电压UGE>Uth ,栅极沟道形成,IGBT呈导通状态(正常工作)。此时,空穴从P+区注入到N基区进行电导调制,减少N基区电阻RN的值,使IGBT通态压降降低。

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